40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120

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40N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是:集电极电流(IC)为40A,集电极-发射极电压(VCES)为1200V,G-E阈值电压(VGE)为5.5V。

40N120参数描述

型号:40N120

封装:TO-220

特性:低功耗场效应管

电性参数:40A 1200V

集电极电流(IC):40A

脉冲集电极电流(ICM):160A

集电极-发射极电压(VCES):1200V

栅极-发射极电压(VGES):±25V

G-E阈值电压(VGE):5.5V

G-E漏电流(IGES):250nA

工作温度:-55~+150℃

引线数量:3

 

40N120插件封装系列。它的本体长度为21.09mm,加引脚长度为41.39mm,宽度为16.03mm,高度为5.16mm,脚间距为5.45mm。40N120有高速切换、高输入阻抗、符合RoHS等特性。

以上就是关于40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。

ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

 

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