ASEMI肖特基二极管SBT40100VDC正向压降温度系数

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肖特基二极管SBT40100VDC正向压降与温度变化有什么关系？正向压降与温升呈线性关系，当肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降变小时，管温必然升高。

SBT40100VDC参数描述

型号：SBT40100VDC

封装：TO-263

特性：低压降肖特基二极管

电性参数：40A，100V

正向电流(Io)：40A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.54V

芯片尺寸：120MIL

浪涌电流Ifsm：300A

漏电流(Ir)：10uA

工作温度：-65~+150℃

引线数量：3

我们知道，对于肖特基二极管来说，一个非常重要的性能指标是正向压降值（即VF值）。正是因为SBT40100VDC具有很低的正向压降值，所以在输出功率一定的情况下，功率损耗比普通二极管低。那么影响SBT40100VDC正向压降的变量有哪些呢？除了芯片性能和工艺技术，温升变化也是一个非常重要的方面。

肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降与温度成反比

SBT40100VDC作为半导体功率器件，在实际电路应用中难免会发热。工作温度逐渐升高，那么这会影响肖特基二极管正向压降的变化吗？答案是肯定的。通过SBT40100VDC的规格书可以看出，常温25°工作条件下压降值为0.54V，温升达到125°时压降值为0.48V，其正向压降值随着温度的逐渐升高而逐渐减小。由此我们可以得出一个结论：肖特基二极管SBT40100VDC正向压降的大小与温度成反比，即温度逐渐升高，压降逐渐减小。

虽然肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降随着温度的升高而降低是好的，但漏电流也会增加，漏电流放大会影响功率器件的整体效率，因此在工程设计时需要充分考虑电路转换率和散热措施。

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