SBT30100VDC-ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VDC

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SBT30100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款低压降肖特基二极管。SBT30100VDC的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT30100VDC的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.52V，恢复时间(Trr)为5nS，其中有3条引线。

SBT30100VDC参数描述

型号：SBT30100VDC

封装：TO-263

特性：低压降肖特基二极管

电性参数：30A，100V

芯片材质：金属硅芯片

正向电流(Io)：30A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.52V

芯片尺寸：94MIL

浪涌电流Ifsm：250A

漏电流(Ir)：8uA

工作温度：-65~+150℃

恢复时间(Trr)：<5nS

引线数量：3

SBT30100VDC贴片封装系列。它的本体长度为9.5mm，加引脚长度为15.9mm，宽度为10.69mm，高度为4.85mm，脚间距为2.54mm。SBT30100VDC具有低正向压降、可靠的高温操作、最柔和快速的切换能力、无铅表面处理等特性。

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